A Universidade Rice, nos Estados Unidos, anunciou hoje (1/1) que seus cientistas desenvolveram os primeiros nanotransistores de memória com dois terminais, feitos de óxido de silício, uma das substâncias mais comuns no planeta. 

Os novos nanotransistores utilizam inúmeras camadas de capacidade de memória em um mesmo chip. A nova tecnologia poderá ser útil para a produção de equipamentos ultrapequenos de armazenamento em três dimensões. 

De acordo com um porta-voz da instituição, o novo recurso melhorará a escalabilidade em comparação com a tecnologia Flash disponível hoje. Além disso, ele ampliará os limites de miniaturização da Lei de Transistores de Moore.

"Os novos chips poderão suportar a radiação e temperaturas de 200 graus Celsius", completaram os pesquisadores.

Flash

Ao contrário das memórias Flash, que são controladas por três terminais ou fios, a memória de silício requer dois novos terminais, multiplicando a capacidade de um chip. 

Os fios de nanocristais tem dimensões pequenas, de cerca de cinco nanômetros de largura. Um nanômetro equivale a bilionésima parte de um metro.

"A beleza é a simplicidade", disse James Tour, um professor de engenharia mecânica da universidade norte-americana.

Para mais informações acesse o site da universidade.