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19 de setembro de 2009
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Processadores

Spintrônica: conheça a tecnologia que promete revolucionar os processadores

Por Daniela Moreira, repórter do IDG Now!

Publicada em 12 de setembro de 2007 às 07h00
Atualizada em 12 de setembro de 2007 às 12h13

São Paulo - A spintrônica pode revolucionar os discos rígidos, memórias e processadores. Saiba mais sobre essa tendência.

spintronica2_88Não é novidade para nenhum observador do mercado de chips que está cada dia mais difícil acompanhar a chamada Lei de Moore, que há 30 anos sentenciou que o número de transistores em um processador dobraria a cada 18 meses. A cada nova geração de chips, os fabricantes desafiam as leis da Física.

Está cada vez mais difícil avançar no aumento de poder de processamento e na miniaturização dos componentes, driblando problemas de aquecimento e consumo de energia. Uma das áreas que podem trazer respostas a esses desafios é a chamada spintrônica, ciência que vem sendo desbravada por pesquisadores de todo mundo, inclusive do Brasil.

Enquanto a eletrônica clássica se preocupa com a carga dos elétrons, a spintrônica estuda o seu movimento de rotação, chamado spin (giro, inglês). Os elétrons podem rodar em diferentes sentidos - representados por setas para baixo ou para cima. Esse movimento gera uma espécie de campo magnético ao redor do elétron.

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Esta é a razão pela qual uma das primeiras áreas da computação a se beneficiar da spintrônica foi a de armazenamento de dados, fortemente ancorada no magnetismo. Em 1988, dois times de pesquisas independentes - um liderado por Peter Grünberg no Jülich Research Centre, e outro por Albert Fert na Universidade de Paris-Sud - fizeram a descoberta que é considerada o marco de nascimento da spintrônica: a magnetoresistência gigante (GMR, do inglês Giant Magnetoresistance).

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Em linhas gerais, os cientistas descobriram que manipulando os sentidos dos elétrons para alinhar os campos magnéticos - por meio de sanduíches de camadas de ferromagnéticas isoladas por uma camada não-magnética no meio -, era possível reduzir a resistência entre as camadas, reduzindo também o espaço entre elas.


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