Por essa razão, o avanço da Intel para os 45 nanômetros implicou em mais que um simples salto de miniaturização. Para acompanhar a lei do Moore e revolucionar mais uma vez a produção no prazo esperado, a companhia teve que mudar parte do material usado na produção dos chips.

“O gate estava tão reduzido que o silício perdia as suas propriedades elétricas”, diz Saraiva, referindo-se a uma espécie de chave que controla o fluxo dos elétrons dentro do chip. Para conseguir migrar para a nova geração, a Intel substitui neste componente o silício - material mais utilizado na produção de chips - por uma combinação de outro metal chamado háfnio com um material identificado apenas como “high-κ”, por razões estratégicas.

Além de ampliar a capacidade de miniaturização, este composto permite, segundo Saraiva, aumentar o isolamento elétrico, diminuindo a liberação de energia e o aquecimento do chip. Este ponto é especialmente importante no âmbito das empresas, que precisam fazer investimentos pesados em energia e resfriamento das salas de servidores.

“Para cada dólar gasto com energia nos data centers, as empresas gastam mais um dólar com refrigeração”, aponta Saraiva. O uso do novo material permitirá um ganho de 30% em eficiência de energia na geração de processadores de 45 nanômetros da Intel, segundo o executivo.

Para o consumidor final, isso também se reflete em benefícios, como menor consumo de bateria nos notebooks e computadores mais finos e menos barulhentos (pois elimina os ventiladores internos de maior porte).

A Intel planeja colocar todos esses conceitos em prática, iniciando a fabricação em 45 nanômetros no próximo semestre. Para isso, a empresa vai adaptar uma planta que possui no Oregon e construir uma nova fábrica no Arizona para produzir em 45 nanômetros. Além disso, vai inaugurar uma nova fábrica em Israel para fabricar no processo ainda no primeiro semestre de 2008.