A IBM apresentou nesta quarta-feira (14/02), durante o evento International Solid State Circuits Conference (ISSCC), em São Francisco, Califórnia, uma tecnologia de memória dinâmica embutida em chip que permite o acesso mais rápido já alcançado em eDRAM (embedded dynamic random access memory).

Reduzindo a distância entre processador e memória, a tecnologia permitirá dobrar a performance dos chips, segundo Subramanian Iyer, engenheiro da Big Blue e chefe de desenvolvimento para 45 nanômetros.

A nova tecnologia, que utiliza o Silicon-on-Insulator (SOI) - técnica diferenciada de uso do silício na produção de chips - da IBM para obter alta performance com baixo consumo de energia, melhora o desempenho do processador em arquiteturas multi-core e acelera os gráficos em games, redes e outras aplicações multimídia intensivas, segundo a companhia.

A tecnologia deve ser um componente importante no roadmap de chips produzidos em 45 nanômetros e deve estar disponível no início de 2008, segundo a IBM.

Empregada no processo de 65 nanômetros, a tecnologia eDRAM melhora o desempenho da memória embutida em processador em um terço, do ponto de vista de espaço, e oferece um ganho de um quinto em energia de reserva em relação ao SRAM (static random access memory) convencional.

As memórias eDRAM são integradas ao processador, permitindo atingir maior velocidade de operações e maior amplitude de conexões.